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AO4449mos管电路分析,三个mos管串联的电路分析

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比如mos晶体管AO4406A，为什么这个MOS晶体管的压降大于2V(实际电路 AO4404用过，试试AO4407 。帮我分析下载这个mos管电路，做MOS管的电源设计分析 ， 或者做驱动电路，都难免要用到MOS管，问:MOS晶体管做电子开关电路 电路错了，PMOS，你还进出D吗 。

1、怎样理解这个MOS管驱动 电路?因为这个场效应晶体管是作为开关晶体管使用的，所以让G极电位比S极低4V；UgsUgUsUR3，关于三极管有3.3(V)Ube Ue > Ue 3 . 30 . 72 . 6(V)；然后IeUe/re 2.6/200.13(mA)；因此，电阻R3的电压ur 3 ie * r 30.13 * 10013(V)； 。我真的很感激 。这个电路问题很大 。首先负载要挂在MOS的D极而不是S极，也就是说负载和MOS管要上下切换 。

2、请教:MOS管做电子开关 电路 电路错了 ， PMOS，你还是D进S出吗？换句话说，s和d是反的，转移一下就好了 。这个电路很常用，类似于PNP三极管 。对于P三极管，E接电源输入 ， C接控制输出，同样如此 。这是n沟道，高电平传导 。需要低电平导通 ， 用P沟道MOS晶体管，有朋友让我把D极和S极的位置换一下，现在可以控制了，就是电流大 ， 管很热，电压会从4.2V降到3.5左右 。

从图标中的VBAT和VBATOUT来看 ， 你的整个电路是错的:1 。P型场效应晶体管应该在S极输入，在D极输出，你把输入和输出反了 。2.R23应该连接在S和G之间 ， 而不是G和D之间..R23是一个泄放电阻 。当控制字母从0到1时，作用在G极上的负压会迅速释放，保证有效关断 。即使您错误地标记了OUT，无论您选择哪个R23 ， 都会使电子管在S极输入和D极输出处导通 。

3、帮我 分析下这个mos管 电路,当DO 电路中的三极管都处于饱和关断状态，即开关状态 。当DO_CAMERA为高，即3.3V时，Q192导通，Q193的集电极为高 ， Q100的源极(底部)为低 。反之，当DO_CAMERA为低电平，即0V时，Q192截止 ， Q193的集电极为低电平 ， Q100的源极(下端)为高电平 。Q193和Q100输出的高电平为12V；低电平为0V ， 即GND 。当DO_CAMERA为高时，Q100栅极电压 ， 即Q193集电极电压等于12V，Q101栅极电压为低时等于0v；

4、MOS管开关 电路?MOS晶体管作为开关元件，工作在关断和导通两种状态 。由于MOS晶体管是电压控制元件，其工作状态主要由栅源电压uGS决定 。MOS管在导通和关断状态切换时也有一个过渡过程，但其动态特性主要取决于电路相关的杂散电容充放电所需的时间，而管本身导通和关断时电荷积累和耗散的时间很小 。根据G电压调整DS导通的强度 。

5、...还有放大区?例如mos管AO4406A,看下面的图表可以看出来吗当栅极电压(Vgs)小于导通电压(VGS右上图)时 ， 处于关断区；当Vgs电压高于导通电压时，如果加在ds端的Vds电压能保证Ids受Vgs控制，则为放大区 。如果Vds不能保证Ids达到Vgs控制的电流 ， 就会进入饱和区；在信号放大电路中，晶体管工作在放大区，而当用作开关(数字电路或DCDC转换)时 ， 工作在截止区和饱和区 。

6、mos管的发热 分析对于电源设计或者驱动电路，必然要用到MOS管 。MOS晶体管的种类很多 ， 功能也很多 。对于供电或者驱动，当然是用来开关的 。无论N型还是P型MOS管，其工作原理本质上都是一样的 。MOS晶体管通过施加到输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流 。MOS晶体管是压控器件，通过施加在栅极的电压来控制器件的特性，不会出现三极管作为开关时基极电流引起的电荷存储效应，所以在开关应用中MOS晶体管的开关速度要比三极管快 。

图1 MOS晶体管的工作原理我们在开关电源电路中经常用到MOS晶体管的开漏，如图2所示，漏极原封不动地连在负载上，称为开漏 。无论负载接多高的电压，开漏电路都可以通断负载电流 。它是一种理想的模拟开关器件 。这就是MOS晶体管作为开关器件的原理 。当然，MOS晶体管使用更多的是电路作为开关 。图2 2 NMOS管的开漏电路在开关电源的应用中，这种应用要求MOS管周期性的开关 。
7、为什么这个MOS管的压降会大于2V(实际 电路用的AO4404【AO4449mos管电路分析,三个mos管串联的电路分析】尝试使用AO4407 。这个结果并不意外，你的1N4743是13V电压的稳压器，现在电源只有12V ， 所以D2实际上不起作用 。Q1的状态其实是关的，Q1的集电极输出电压接近电源电压12V，G的电压是12V，但问题是UGS是什么？MOS管的状态由UGS决定，MOS管导通只有24V没错，但问题是MOS管的工作状态分为可变电阻区(相当于三极管的饱和区)、恒流区(相当于三极管的放大区)和夹断区 。

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